多空大對決

話說之前有聽過COB，但不知道跟我所知道的封裝製程有什麼關係

現在連結起來，感覺上應該是簡單說把SMT製程用封裝製程取代掉

(不知道這樣說會不會很奇怪?! 哈~~)

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一般來說，記憶體晶片經過封裝測試流程後，會進入到模組廠，

透過SMT技術(Surface Mount Technology) 將記憶體跟一些電阻電容

，透過DIP以及焊錫方式植在電路板上，然後再組裝Housing後，

就形成目前市面是常見的各式隨身碟。

但因市場小型記憶卡的越來越普及，所以受限於體積的隨身碟，相

對的就慢慢被要求縮小體積，此時，COB製程(Chip On Board)就可以

達到這個目標。

有別於傳統SMT組裝方式，COB封裝主要是將NAND型Flash裸晶直

接bonding於載板(PCB)上，然後用封裝的壓模（molding）將記憶卡

一體製造成型。這就是COB的相對優勢，體積相對於SMT小得許多。

在COB製程中，主要是以Flash晶片數跟控制IC，來決定該產品之容量。

一般來說，會有1顆控制IC，然後依產品規劃容量，而有不同顆數之

Flash晶片。

但受限於Flash 記憶體容量、還有封裝尺寸跟體積之大小，所以就必須

要對Flash晶片進行堆疊，以達到容量的需求。

譬如生產一顆4G的記憶卡，可能是2片2G Flash晶片堆疊或是4片1G 

Flash晶片堆疊，然後再加上一顆控制IC所組成。

而堆疊技術，因為需考量到堆疊之間技術難度，所以價格相對也會

反映在COB封裝代工費用上。

所以以上述例子來說，4片1G組成之記憶卡，封裝價格相對會比2片2G來得高。目前來說，COB封裝的門檻，大概有以下幾種1控制IC與Flash之間相容性2.因成品尺寸厚度的市場需求，所以如何利用有效空間，生產高容量之產品就很重要。相對就與堆疊技術、晶片排列方式、封裝技術、甚至於晶片厚度都有很重要的關係舉例而言，目前microSD成卡尺寸大約為1.1cmX1.5cm，整體高度為0.7mm(700μm)若不堆疊--->扣除PCB板厚約150μm，上蓋compound高度空間須有50μm以上，內部至少有500μm(以Flash 厚度約100μm，Epoxy 厚度約30μm，在考量到金屬導線弧高約170μm左右，總高度約300μm，空間上還非常的充足。)但若進行Flash堆疊，就必須考量到整體高度(與金屬導線、膠厚、晶片厚度有關)，亦須考量到電性特性，所以技術上相對是一個難題。